25-05-2019, 16:03
(This post was last modified: 25-05-2019, 16:15 by Danila_iva.
Edit Reason: дополнил
)
(25-05-2019, 11:06)merkulss Wrote:(25-05-2019, 10:56)decoder Wrote: по два цикла на col и row, картинку попуталиКакая разница как считать? В моем случае нагляднее что к чему. И одно не должно отличаться от другого.
для 8 битных NAND все проще, по идее и можно без заморочек с даташитами и поиском разметки.. (информация для размышления)
col - это разрядность адресации column ( количество столбцов в странице = байт в странице , или слов для 16 битной) , а значит если col=1, то максимальный размер страницы - 256 байт (или 512 Байт = 256 слов для 16 битной, если адресация 8 битная) чего на практике не встречал еще, а значит
минимум column = 2, что перекрывает размер страницы до 65536 байт, если размер страницы будет больше в NAND, чего тоже пока не попадалось, то col=3, т.е для практики как думаю это параметр всегда 2 ,
а вот Row по сути разрядность адресации страниц в NAND , тут не уверен пока, но похоже по тому же принципу можно и с этим работать,
т.е. если страниц в NAND меньше чем 0x10000 то ROW = 2, если больше то 3, ну и т.д. все просто получается..
и вот вопрос к размышлению - где это не работает ?
если утверждение верное, то это сильно упростит расчет этих параметров, или даже можно автоматом сделать, при добавлении новой NAND.