13-10-2021, 17:16
Pages: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73
13-10-2021, 17:16
По 2.0.6 написана инструкция с примерами по данному процессу.
https://mslw.com/bb/showthread.php?tid=2356
https://mslw.com/bb/showthread.php?tid=2356
13-10-2021, 17:19
(13-10-2021, 17:16)merkulss Wrote: [ -> ]По 2.0.6 написана инструкция с примерами по данному процессу.По ней и делаю.
https://mslw.com/bb/showthread.php?tid=2356
(13-10-2021, 17:16)delta711 Wrote: [ -> ]Всё таки наоборот, проверьтеВ Udev так и есть
RBABlockFirst = 0x7FB
RBABlockLast = 0x785
Show ContentSpoiler:
ReadID = true
ECCAlgo = 1
ECCScheme = MSTAR_P8K_SP436_CW8_S12L42
AnalysisOnID = 1
[BBM]
bbErase = false
bbDetect = 2
bbMgmt = 2
bbMarkerVal = 0x00
bbMarkerOp = 0
bbMarkerPos = 0
bbTableType = SAMSUNG_UPCH
bbTableBlock = 0x7FD
bbTableTypeMirror = SAMSUNG_UPCH
bbTableBlockMirror = 0x7FC
RBABlockFirst = 0x7FB
RBABlockLast = 0x785
BBTUpdateAfterWrite = true
[NAND]
PageData = 8192
PageSpare = 436
PagesInBlock = 128
Blocks = 2076
[PARTITIONS]
PartitionsMode = true
RawAddrMode = true
RawSizeMode = true
RwFilesMode = true
0x0000000000,0x0E163C00,part-00-ID1B,ECC,NAND_0x00000000_0x0E163C00_part-00-ID1B.bin
0x000E163C00,0x10DA0000,part-01-ID1C,ECC,NAND_0x0E163C00_0x10DA0000_part-01-ID1C.bin
0x001EF03C00,0x0E163C00,part-02-ID1D,ECC,NAND_0x1EF03C00_0x0E163C00_part-02-ID1D.bin
0x002D067800,0x4475A000,part-03-ID1E,ECC,NAND_0x2D067800_0x4475A000_part-03-ID1E.bin
0x00717C1800,0x0D2A5000,part-04-ID1F,ECC,NAND_0x717C1800_0x0D2A5000_part-04-ID1F.bin,,
0x00869D7200,0x0010DA00,UPCH,ECC,NAND_0x869D7200_0x0010DA00_UPCH.bin
0x0086AE4C00,0x0010DA00,LPCH,ECC,NAND_0x86AE4C00_0x0010DA00_LPCH.bin
[INFO]
#C1Запись K9GAG08U0E ((8192+436)*128) HIGH_X6_AT5C_DVB_LED (BN41-01660A) с обходом ББ в резервной зоне.
13-10-2021, 17:25
Может так нужно!?
RBABlockFirst = 0x785
RBABlockLast = 0x7FB
Управление плохими блоками Использовать резервную зону
BAD Blocks Table main Samsung UPCH Block 0x07FD (2045)
Запрос плохих блоков...Норма
Количество плохих блоков: 5
Блок 0x02E5 (741) адрес 0x2E500000 (0x30C70200) Плохой блок
Блок 0x03C6 (966) адрес 0x3C600000 (0x3F969C00) Плохой блок
Блок 0x04B8 (1208) адрес 0x4B800000 (0x4F84B000) Плохой блок
Блок 0x061F (1567) адрес 0x61F00000 (0x67266600) Плохой блок
Блок 0x0819 (2073) адрес 0x81900000 (0x88754A00) Плохой блок
Analysis on ID skipped (UDEV)
Building BBT Map, RBA Blocks 0x0785-0x07FB (1925-2043)...
Блок 0x0785 (1925) адрес 0x78500000 (0x7EB74200) RBN for block 0x2E5 (741)
Блок 0x0786 (1926) адрес 0x78600000 (0x7EC81C00) RBN for block 0x3C6 (966)
Блок 0x0787 (1927) адрес 0x78700000 (0x7ED8F600) RBN for block 0x4B8 (1208)
Блок 0x0788 (1928) адрес 0x78800000 (0x7EE9D000) RBN for block 0x61F (1567)
Блок 0x0819 (2073) адрес 0x81900000 (0x88754A00) игнорирован
BAD Blocks Table main Samsung UPCH Block 0x07FD (2045), reading...Норма
Количество плохих блоков: Нет плохих блоков!
RBABlockFirst = 0x785
RBABlockLast = 0x7FB
Show Contentlog:
Управление плохими блоками Использовать резервную зону
BAD Blocks Table main Samsung UPCH Block 0x07FD (2045)
Запрос плохих блоков...Норма
Количество плохих блоков: 5
Блок 0x02E5 (741) адрес 0x2E500000 (0x30C70200) Плохой блок
Блок 0x03C6 (966) адрес 0x3C600000 (0x3F969C00) Плохой блок
Блок 0x04B8 (1208) адрес 0x4B800000 (0x4F84B000) Плохой блок
Блок 0x061F (1567) адрес 0x61F00000 (0x67266600) Плохой блок
Блок 0x0819 (2073) адрес 0x81900000 (0x88754A00) Плохой блок
Analysis on ID skipped (UDEV)
Building BBT Map, RBA Blocks 0x0785-0x07FB (1925-2043)...
Блок 0x0785 (1925) адрес 0x78500000 (0x7EB74200) RBN for block 0x2E5 (741)
Блок 0x0786 (1926) адрес 0x78600000 (0x7EC81C00) RBN for block 0x3C6 (966)
Блок 0x0787 (1927) адрес 0x78700000 (0x7ED8F600) RBN for block 0x4B8 (1208)
Блок 0x0788 (1928) адрес 0x78800000 (0x7EE9D000) RBN for block 0x61F (1567)
Блок 0x0819 (2073) адрес 0x81900000 (0x88754A00) игнорирован
BAD Blocks Table main Samsung UPCH Block 0x07FD (2045), reading...Норма
Количество плохих блоков: Нет плохих блоков!
13-10-2021, 17:39
Поменял значения в UDEV, ничего не поменялось.
##### 13.10.2021 16:31:26.729 #####
NAND Dump 'C:\программатор\Logs\NAND\D5500.bin' Analysis, size 0x86D00000...
NAND Страница 8192+436 (0x21B4), страниц в блоке 128, блок 0x10DA00 (1104384), 0x081C (2076) блоков, Offline геометрия
Обнаружение плохих блоков 1st spare marker byte
ECC correction MSTAR_P8K_SP436_CW8_S12L42
Требования к ECC 24/1024 (Bits/CW)
Блок 0x07FD (2045) адрес 0x7FD00000 (0x869D7200) BAD Blocks Table Samsung UPCH
Блок 0x07FE (2046) адрес 0x7FE00000 (0x86AE4C00) Partition Info Samsung LPCH
Завершено с ошибками!
Исправленный UDEV
[DESC]
Name = D5500
FlashType1 = NAND
FlashBase1 = 0x0
ReadID = true
ECCAlgo = 1
ECCScheme = MSTAR_P8K_SP436_CW8_S12L42
AnalysisOnID = 1
[BBM]
bbErase = false
bbDetect = 2
bbMgmt = 2
bbMarkerVal = 0x00
bbMarkerOp = 0
bbMarkerPos = 0
bbTableType = SAMSUNG_UPCH
bbTableBlock = 0x7FD
bbTableTypeMirror = SAMSUNG_UPCH
bbTableBlockMirror = 0x7FC
RBABlockFirst = 0x785
RBABlockLast = 0x7FB
BBTUpdateAfterWrite = true
[NAND]
PageData = 8192
PageSpare = 436
PagesInBlock = 128
Blocks = 2076
[PARTITIONS]
PartitionsMode = true
RawAddrMode = true
RawSizeMode = true
RwFilesMode = true
0x0000000000,0x0E163C00,part-00-ID1B,ECC,NAND_0x00000000_0x0E163C00_part-00-ID1B.bin
0x000E163C00,0x10DA0000,part-01-ID1C,ECC,NAND_0x0E163C00_0x10DA0000_part-01-ID1C.bin
0x001EF03C00,0x0E163C00,part-02-ID1D,ECC,NAND_0x1EF03C00_0x0E163C00_part-02-ID1D.bin
0x002D067800,0x4475A000,part-03-ID1E,ECC,NAND_0x2D067800_0x4475A000_part-03-ID1E.bin
0x00717C1800,0x0D2A5000,part-04-ID1F,ECC,NAND_0x717C1800_0x0D2A5000_part-04-ID1F.bin,,
0x00869D7200,0x0010DA00,UPCH,ECC,NAND_0x869D7200_0x0010DA00_UPCH.bin
0x0086AE4C00,0x0010DA00,LPCH,ECC,NAND_0x86AE4C00_0x0010DA00_LPCH.bin
[INFO]
#C1Запись K9GAG08U0E ((8192+436)*128) HIGH_X6_AT5C_DVB_LED (BN41-01660A) с обходом ББ в резервной зоне.
Show ContentSpoiler:
##### 13.10.2021 16:31:26.729 #####
NAND Dump 'C:\программатор\Logs\NAND\D5500.bin' Analysis, size 0x86D00000...
NAND Страница 8192+436 (0x21B4), страниц в блоке 128, блок 0x10DA00 (1104384), 0x081C (2076) блоков, Offline геометрия
Обнаружение плохих блоков 1st spare marker byte
ECC correction MSTAR_P8K_SP436_CW8_S12L42
Требования к ECC 24/1024 (Bits/CW)
Блок 0x07FD (2045) адрес 0x7FD00000 (0x869D7200) BAD Blocks Table Samsung UPCH
Блок 0x07FE (2046) адрес 0x7FE00000 (0x86AE4C00) Partition Info Samsung LPCH
Завершено с ошибками!
Show ContentSpoiler:
[DESC]
Name = D5500
FlashType1 = NAND
FlashBase1 = 0x0
ReadID = true
ECCAlgo = 1
ECCScheme = MSTAR_P8K_SP436_CW8_S12L42
AnalysisOnID = 1
[BBM]
bbErase = false
bbDetect = 2
bbMgmt = 2
bbMarkerVal = 0x00
bbMarkerOp = 0
bbMarkerPos = 0
bbTableType = SAMSUNG_UPCH
bbTableBlock = 0x7FD
bbTableTypeMirror = SAMSUNG_UPCH
bbTableBlockMirror = 0x7FC
RBABlockFirst = 0x785
RBABlockLast = 0x7FB
BBTUpdateAfterWrite = true
[NAND]
PageData = 8192
PageSpare = 436
PagesInBlock = 128
Blocks = 2076
[PARTITIONS]
PartitionsMode = true
RawAddrMode = true
RawSizeMode = true
RwFilesMode = true
0x0000000000,0x0E163C00,part-00-ID1B,ECC,NAND_0x00000000_0x0E163C00_part-00-ID1B.bin
0x000E163C00,0x10DA0000,part-01-ID1C,ECC,NAND_0x0E163C00_0x10DA0000_part-01-ID1C.bin
0x001EF03C00,0x0E163C00,part-02-ID1D,ECC,NAND_0x1EF03C00_0x0E163C00_part-02-ID1D.bin
0x002D067800,0x4475A000,part-03-ID1E,ECC,NAND_0x2D067800_0x4475A000_part-03-ID1E.bin
0x00717C1800,0x0D2A5000,part-04-ID1F,ECC,NAND_0x717C1800_0x0D2A5000_part-04-ID1F.bin,,
0x00869D7200,0x0010DA00,UPCH,ECC,NAND_0x869D7200_0x0010DA00_UPCH.bin
0x0086AE4C00,0x0010DA00,LPCH,ECC,NAND_0x86AE4C00_0x0010DA00_LPCH.bin
[INFO]
#C1Запись K9GAG08U0E ((8192+436)*128) HIGH_X6_AT5C_DVB_LED (BN41-01660A) с обходом ББ в резервной зоне.
13-10-2021, 19:59
13-10-2021, 20:07
Тоже с размером на битом дампе
NAND Dump 'D:\!_UFPI\Samsung UE40D5520RW(BN41-01660B)(HIGH_X6_ATSC_DVB_LED)(ребут на смарт)\K9GAG08U0E_V2.bin' Analysis, size 0x8745F600...
NAND Страница 8192+436 (0x21B4), страниц в блоке 128, блок 0x10DA00 (1104384), 0x081C (2076) блоков, Offline геометрия
Обнаружение плохих блоков 1st spare marker byte
ECC correction MSTAR_P8K_SP436_CW8_S12L42
Требования к ECC 24/1024 (Bits/CW)
Блок 0x07E8 (2024) адрес 0x7E800000 (0x853B9000) BAD Blocks Table Samsung UPCH
Блок 0x07E9 (2025) адрес 0x7E900000 (0x854C6A00) BAD Blocks Table Samsung UPCH
Блок 0x07EA (2026) адрес 0x7EA00000 (0x855D4400) Partition Info Samsung LPCH
Завершено с ошибками!
Show ContentSpoiler:
NAND Dump 'D:\!_UFPI\Samsung UE40D5520RW(BN41-01660B)(HIGH_X6_ATSC_DVB_LED)(ребут на смарт)\K9GAG08U0E_V2.bin' Analysis, size 0x8745F600...
NAND Страница 8192+436 (0x21B4), страниц в блоке 128, блок 0x10DA00 (1104384), 0x081C (2076) блоков, Offline геометрия
Обнаружение плохих блоков 1st spare marker byte
ECC correction MSTAR_P8K_SP436_CW8_S12L42
Требования к ECC 24/1024 (Bits/CW)
Блок 0x07E8 (2024) адрес 0x7E800000 (0x853B9000) BAD Blocks Table Samsung UPCH
Блок 0x07E9 (2025) адрес 0x7E900000 (0x854C6A00) BAD Blocks Table Samsung UPCH
Блок 0x07EA (2026) адрес 0x7EA00000 (0x855D4400) Partition Info Samsung LPCH
Завершено с ошибками!
13-10-2021, 20:14
Эти обрезанные дампы делает ENTT, может еще кто округляет. Ну не работает на них анализ, поскольку дамп не верный и не полный.
13-10-2021, 20:17
То есть, у меня дамп который я хочу залить в микросхему "битый"?
Но на старой версии он без проблем анализировался.
Если можете, поделитесь нормальным дампом.
Но на старой версии он без проблем анализировался.
Если можете, поделитесь нормальным дампом.
13-10-2021, 20:27
Да, кстати, вычитывать дамп с UDEV наверно не правильно. Нужно вычитывать как есть, потом анализом готовить. Иначе разделы, обходы и прочее...можно получить результат не совсем ожидаемый.